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IXTT6N150
IXTH6N150
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
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Pulse Width - Second
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: T_6N150 (5P)1-19-10
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IXTH72N20 功能描述:MOSFET 72 Amps 200V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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